在线会议
论坛
专题
工控直播
新闻中心
子站
技术
社区
英飞凌OptiMOS 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装www.cechina.cn，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS BiC功率MOSFET产品信息。
由于具有最低的导通电阻(RDS(on))，这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外控制工程网版权所有，通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能，从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性，从而最大限度地减少对缓冲电路的需求，同时也减少了工程成本和工作量。
这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°，有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率，或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外控制工程网版权所有，随着额定温度的增加控制工程网版权所有，安全工作区域(SAO)亦改善了20%。
这些BiC MOSFET具有出色的性能数据，非常适合电信、服务器、三相逆变器、低压驱动器以及D类音频等应用。英飞凌OptiMOS BiC功率MOSFET产品系列包括60V至250V型款。
客户可以在儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn 上找到有关英飞凌OptiMOS BiC功率MOSFET产品系列的更多信息CONTROL ENGINEERING China版权所有，还可以直接下订单： https://www.rutronik24.com.cn/search-result/nojs:1337/qs:TMOS2541%20TMOS2542/reset:0
如需了解更多有关信息，请联系英飞凌代理商Rutronik相关人员：
Tommy Xie：+86 185 8825 1633
MVTalks机器视觉技术研讨会昆山站
测量系统构建完整指南 NI DAQ从入门到精通
2024阿自倍尔新产品说明会深圳站
爱德克工业安全产品八大“金刚”有奖试用
FOTRIC(飞础科)红外热像仪试用体验活动
