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面对环保、能源等社会问题的日益严峻以及半导体电子产业的技术革新控制工程网版权所有，ROHM（罗姆）专注功率、电源及模拟技术，推出电源管理芯片、功率器件等重磅级产品CONTROL ENGINEERING China版权所有，助力工业及汽车电子领域研发项目节能高效，大幅减少开发周期和风险。点击文末链接或扫二维码CONTROL ENGINEERING China版权所有，可查看更多相关资料、申请免费样品等~
新产品介绍 :
SerDes IC系列：
· 用来传输影像的SerDes IC“BU18xMxx-C”：根据分辨率优化传输速率，功耗可降低27％；通过传输速率优化功能和展频功能将EMI峰值降低20dB左右；冻结检测功能可以检测图像的冻结状态，提高整个ADAS系统可靠性。
PMIC BD86852MUF-C：
· 用于摄像头的PMIC（电源管理IC）“BD86852MUF-C”：仅通过单个IC即可进行电压设置和时序控制，安装面积减少约41％；通过抑制发热量，实现78.6％的高转换效率，进一步降低功耗。
Hybrid IGBT单管（RGWxx65C系列）：
· 内置SiC二极管，损耗比以往IGBT产品低67%，为普及中的车载电子设备和工业设备提供更高性价比
· 符合AEC-Q101标准，可在车载和工业设备等严苛环境下使用
AC/DC 转换器IC（BM2P06xMF-Z 系列）：
· 内置 730V 耐压 MOSFET，表贴封装、可支持高达45W的输出功率，有助于降低工厂的安装成本
· 采用了融入ROHM高耐压工艺技术和模拟设计技术的控制电路，待机功耗比普通产品低90%以上
· 电源电路元器件数量减少4个CONTROL ENGINEERING China版权所有，功率半导体的故障风险更低，电源的可靠性更高
AC/DC转换器IC（BM2SC12xFP2-LBZ）：
· 内置1700V SiC MOSFET、可支持高达48W 输出功率的小型表贴封装，有助于削减工厂的安装成本
· 将散热板和多达12个部件缩减为1个，在小型化方面具有压倒性优势
· 减少开发周期和风险控制工程网版权所有，内置保护功能，可靠性显著提高
· 搭载的SiC MOSFET 驱动用栅极驱动电路，激发SiC MOSFET 性能，节能效果显著
BD8758xYx-C运算放大器：
· 在4种国际抗扰度评估测试中均实现非常出色的抗干扰性能，可减轻降噪设计负担
· 配备高精度仿真模型，可防止实际试制后返工
充电控制IC（BD71631QWZ）:
· 支持需要低电压充电的全固态和半固态电池等新型二次电池的充电，实现从2.0V到4.7V的宽充电电压范围
· 非常适合搭载薄型二次电池应用的封装尺寸，采用ROHM自有封装技术的1.8mm×2.4mm×0.4mm薄小型封装
· 可设置CCCV*2充电的各项充电特性（充电电流、终止电流等），为搭载新型二次电池的可穿戴设备和小而薄的物联网设备提供理想的充电环境
MOSFET（QH8Mx5/SH8Mx5系列）：
· 实现业界超低导通电阻，新工艺±40V耐压产品Pch部分的导通电阻降低61％，Nch部分的导通电阻降低39％
· 双极MOSFET，有助于实现设备的小型化和缩短设计周期
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