中科院知识创新工程重要方向项目“氮化镓基激光器(KGCX2-SW-115)”于11月26日通过专家验收。

　　2005年4月，半导体所承担了“氮化镓基激光器 (KGCX2-SW-115)”研究项目www.cechina.cn，经过两年多创新性的研究，实现了氮化镓基激光器核心技术的突破，专家组认为控制工程网版权所有，该项目在氮化镓基激光器的材料生长、器件工艺和测试技术等方面攻克了一系列技术难关，按时全面完成了任务书规定的研究目标。该项目在研期间，在激光器结构设计、材料生长和器件工艺制作方面形成具有自主知识产权的国家发明专利5项，在国内外重要刊物发表相关文章11篇。通过该项目的研究培养了一批高水平的光电子材料与器件的研究人才，形成了一支高素质的研究队伍。科研人员将力争通过3年左右的研究，研究成功实用化的405纳米激光器及450纳米蓝绿色激光器控制工程网版权所有,使其在国民经济和国家重大需求中发挥作用。
　　
　　氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第三代半导体材料CONTROL ENGINEERING China版权所有，它具有宽的带隙，优异的物理性能和化学性能控制工程网版权所有，在光电子领域具有广泛的应用前景和研究价值。用氮化镓基半导体材料研制成的氮化镓基激光器在国防安全领域和光信息存储、激