1、产品及其简介

       芯邦自主设计的第一个产品CBM2080型是基于USB2.0标准的闪存移动存储控制芯片，采用0.18微米工艺。该领域打破了外国芯片垄断的格局而且性能指标超过国际同类芯片。芯邦的芯片包含芯邦一系列自主知识产权的核心技术和取得的多项专利成果，并于2004年初被评为“深圳市高新技术项目”，2005年1月，芯邦的usB2.0／1.1控制芯片获得中国半导体行业协会和863超大规模集成电路设计专家组颁发的“孵化创新产品优秀奖一CONTROL ENGINEERING China版权所有，并得到政府的专项资金资助。2007年被中国半导体行业协会等机构评为“第一批(2005-2006年度)中国半导体创新产品和技术”。

       2、创新性和先进性

       本产品属集成创新。采用0.18微米工艺。

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       采用完全自主开发，拥有全部自主知识产权的32位USB2.0协议和闪存存储器CISC专用处理器，包含自主定义的指令集及相应的编译器。为了提高读写速度及降低功耗，其中部分指令是针对闪存读写及USB协议而特殊设计的。在国内外同行业内，采用单周期指令系统，基于USB2.0协议和闪存存储处理的32位专用处理器属于首创。

       (2) 支持USB2.0和USB1.1标准。

       (3) 逼近闪存读写速度极限

        芯邦公司芯片在硬件总体方案上对闪存的操作作了特殊设计，包括单周期的闪存读写DMA指令，及双通道操作等，从而大大提高了闪存控制芯片的闪存读写速度。

       (4) 灵活的配置功能，支持各种闪存。

       (5) 超强纠错能力，存储器的可靠性和稳定性也随之大大提高。芯邦的芯片采用硬件方式能实时纠错，且纠错能力达到24bit／528BYTE。

       (6) 硬件+软件双重数据安全防护。

       闪存在进行读写操作时由于异常的插拔或断电会破坏数据完整性，如何使闪存移动存储器避免盘内数据可能丢失／损坏现象一度成为行业难题。芯邦芯片采用软件数据智能备份与恢复技术CONTROL ENGINEERING China版权所有，有效地解决了这一难题www.cechina.cn，将闪存移动存储器的数据安全性推上了一个新台阶。

       目前国内支持USB2.0标准的闪存移动存储器控制芯片全部靠进口，芯邦公司设计的基于USB2.0的闪存移动存储器控制芯片是国内第一批具有自主知识产权，并且支持USB2.0标准的闪存控制芯片。

       闪存控制芯片占据了整个闪存移动存储器成本的绝大部分，为了降低闪存移动存储器成本，增强竞争优势，闪存移动存储器制造厂商需要更大的闪存控制芯片选择空间。针对这种市场需求，我公司的USB2.0闪存控制芯片目前已能支持各主流厂商的不同型号NAND、MLC NAND和AG-AND闪存，且闪存容量不受限制，改变了一般闪存控制芯片仅支持如Samsung的某些有限型号和容量NAND闪存的现象，拓展了闪存移动存储器制造厂商对闪存控制芯片的选择空间。而且对市场上新出现闪存的支持时，不需要做任何硬件上的更改CONTROL ENGINEERING China版权所有，只需改动相应固件即可马上提供给厂商生产。

       3、应用范围和市场前景

       本产品主要应用于移动存储器控制芯片。用户主要是各OEM代工厂。珠三角地区集中了80％的电子产品代加工厂控制工程网版权所有，所以芯邦产品和服务具有靠近客户的先天优势。