为了实现CMOS工艺下的开发,牺牲层使用了金属。这样一来CONTROL ENGINEERING China版权所有,金属薄膜就会在牺牲层刻蚀阶段被一同刻蚀处理掉www.cechina.cn,因此预先对最终所需要的金属薄膜进行了钝化处理CONTROL ENGINEERING China版权所有,以确保不被刻蚀处理。试制品使用了台积电的2层聚合物4层金属的0.35μm工艺。
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