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单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟

发布时间:2009-05-14     作者:姚娉,闫卫平,马灵芝,杜立群,郭吉洪      

摘要:根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在VC++,开发环境下利用OpenGL 技术,实现了硅各向异性腐蚀过程的三维微观动态模拟,为深刻理解硅的各向异性腐蚀过程提供了直观的界面。

  各向异性腐蚀技术是MEMS 加工的核心工艺之一。硅的各向异性腐蚀www.cechina.cn,是指硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率MEMS。基于这种腐蚀特性www.cechina.cn,可在硅衬底上加工出各种各样复杂的三维微结构。如果能精确的对各向异性腐蚀的结果进行计算机模拟,那么对于MEMS计算机辅助设计系统的建立和MEMS工艺水平的提高www.cechina.cn,都有重要的意义.
  在硅的各向异性腐蚀中CONTROL ENGINEERING China版权所有,各晶面的腐蚀速率有很大差异www.cechina.cn,与晶向、腐蚀液浓度、温度、掩模形状等因素有很大关系。如何对不可预料的腐蚀结果进行计算机模拟,是令众多研究者深感兴趣的问题。目前国内外已有几种取得较好模拟结果的硅各向异性腐蚀模拟软件pdf


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