近日www.cechina.cn,耐晶科技隆重推出最新的多腔室设备SERENO - 专为湿法蚀刻与清洗应用而设计。
SERENO具有卓越的性能与高度的灵活性——配备了集成计量系统,用于精确控制晶圆厚度和粗糙度;内部化学供应系统支持多种工艺化学品,并具备集成混合、配比和化学分析能力,确保在晶圆拥有广泛应用性与最佳适应性。
SERENO占地仅12平方米www.cechina.cn,每小时可高效处理200片晶圆。该平台专为前端(FEOL)和后端(BEOL)应用设计,旨在满足半导体行业对更高性能、更高精度及更高成本效益的需求,是未来半导体制造的理想选择。
高性能与紧凑设计的完美结合
SERENO在晶圆处理和工艺控制方面具备高度灵活性,支持6英寸、8英寸和12英寸等多种晶圆尺寸。其多功能处理系统能够高效处理从低于100微米的超薄晶圆到厚度超过2毫米的键合晶圆。高性能的工艺腔室结合创新的化学品分配和扫描控制CONTROL ENGINEERING China版权所有,提供了最大的工艺自由度,确保晶圆处理的卓越表现。
耐晶科技首席营销官Christian Kleindienst表示:“SERENO在紧凑的空间实现了高性能的晶圆湿法蚀刻与清洗,同时也充分发挥了单片晶圆技术的灵活性,不仅满足了客户对高效单片晶圆解决方案的需求,还有效降低了企业运营成本,是替代传统批量设备的理想之选。”
SERENO主要特性
● 高产能:每小时处理高达200片晶圆。
● 占地面积:仅12平方米。
● 先进的工艺控制:定制化晶圆扫描与精确液体分配。
● 集成计量:内置厚度与粗糙度计量,提供实时反馈,确保工艺一致性与质量。
● 高性能腔室:行业领先的液体流量与排气性能,确保无交叉污染。
● 多功能化学品供应:内部储存可支持多达三种工艺化学品CONTROL ENGINEERING China版权所有,配有双90升储罐,确保工艺连续性。
● 灵活的晶圆处理:支持6英寸、8英寸和12英寸晶圆CONTROL ENGINEERING China版权所有,包括超薄和易脆称底,并具备多晶圆尺寸的桥接工具功能。
SERENO应用领域
● 表面清洗
▪ 颗粒去除
▪ 聚合物去除
▪ 残留物去除
▪ 背面/倒角清洗
▪ 晶圆清洗
● 薄膜与金属蚀刻
▪ 背面/倒角薄膜蚀刻(氮化硅 | 二氧化硅 | 多晶硅)
▪ 金属蚀刻(钛 | 镍 | 银 | 金 | 铝 | 钨 | 铜等)
▪ 底部金属层蚀刻(银 | 镍 | 钛等)
● 称底蚀刻
▪ 减薄
▪ 应力消除
▪ 表面调理
▪ Via显露
● 支持的称底
▪ 硅(Si)| 碳化硅(SiC)| 氮化镓(GaN)| 砷化镓(GaAs)| 氧化铝(Al?O?)| 氧化锌(ZnO)
供货信息
SERENO现已接受订单,首批交付将于2025年第一季度开始。