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近日，耐晶科技隆重推出最新的多腔室设备SERENO - 专为湿法蚀刻与清洗应用而设计。
SERENO具有卓越的性能与高度的灵活性——配备了集成计量系统，用于精确控制晶圆厚度和粗糙度；内部化学供应系统支持多种工艺化学品，并具备集成混合、配比和化学分析能力，确保在晶圆拥有广泛应用性与最佳适应性。
SERENO占地仅12平方米，每小时可高效处理200片晶圆。该平台专为前端（FEOL）和后端（BEOL）应用设计，旨在满足半导体行业对更高性能、更高精度及更高成本效益的需求，是未来半导体制造的理想选择。
高性能与紧凑设计的完美结合
SERENO在晶圆处理和工艺控制方面具备高度灵活性，支持6英寸、8英寸和12英寸等多种晶圆尺寸。其多功能处理系统能够高效处理从低于100微米的超薄晶圆到厚度超过2毫米的键合晶圆。高性能的工艺腔室结合创新的化学品分配和扫描控制，提供了最大的工艺自由度控制工程网版权所有，确保晶圆处理的卓越表现。
耐晶科技首席营销官Christian Kleindienst表示：“SERENO在紧凑的空间实现了高性能的晶圆湿法蚀刻与清洗，同时也充分发挥了单片晶圆技术的灵活性控制工程网版权所有，不仅满足了客户对高效单片晶圆解决方案的需求，还有效降低了企业运营成本www.cechina.cn，是替代传统批量设备的理想之选。”
SERENO主要特性
● 高产能：每小时处理高达200片晶圆。
● 占地面积：仅12平方米。
● 先进的工艺控制：定制化晶圆扫描与精确液体分配。
● 集成计量：内置厚度与粗糙度计量，提供实时反馈，确保工艺一致性与质量。
● 高性能腔室：行业领先的液体流量与排气性能www.cechina.cn，确保无交叉污染。
● 多功能化学品供应：内部储存可支持多达三种工艺化学品，配有双90升储罐，确保工艺连续性。
● 灵活的晶圆处理：支持6英寸、8英寸和12英寸晶圆控制工程网版权所有，包括超薄和易脆称底，并具备多晶圆尺寸的桥接工具功能。
SERENO应用领域
● 表面清洗
▪ 颗粒去除
▪ 聚合物去除
▪ 残留物去除
▪ 背面/倒角清洗
▪ 晶圆清洗
● 薄膜与金属蚀刻
▪ 背面/倒角薄膜蚀刻（氮化硅 | 二氧化硅 | 多晶硅）
▪ 金属蚀刻（钛 | 镍 | 银 | 金 | 铝 | 钨 | 铜等）
▪ 底部金属层蚀刻（银 | 镍 | 钛等）
● 称底蚀刻
▪ 减薄
▪ 应力消除
▪ 表面调理
▪ Via显露
● 支持的称底
▪ 硅（Si）| 碳化硅（SiC）| 氮化镓（GaN）| 砷化镓（GaAs）| 氧化铝（Al?O?）| 氧化锌（ZnO）
供货信息
SERENO现已接受订单，首批交付将于2025年第一季度开始。
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