导语:微波炉成制作2纳米芯片的关键技术。
没错,就是厨房里的那个微波炉。
目前相关研究成果已发表在《应用物理快报》上。
具体如何,一起来看看吧。
在此之前,先简单了解下是什么限制了2nm芯片的制作。
芯片上会有很多个晶体管,在晶体管的内部,电流会从起始端(源极)流向终点(漏极)。
在这个过程中,电流会经过一个闸门(栅极),而栅极的宽度正是平时所说的芯片尺寸。
但随着制程技术的发展,栅极的宽度越来越小,源极和漏极之间的距离也越来越近。
这就会导致源、漏两极的电场对栅极产生干扰,进而使得栅极对电流的控制能力大大下降,也就是出现短沟道效应。
而解决短沟道效应很大程度上就是在芯片材料和工艺上下功夫控制工程网版权所有,其中的一个办法就是提高器件沟道掺杂浓度。
具体来说CONTROL ENGINEERING China版权所有,就是通过在芯片材料中掺杂大量的其他原子控制工程网版权所有,然后对其进行退火来激活掺杂的原子。
比如说,将磷原子掺杂至硅中,然后对这个混合物进行加热退火,提高磷原子的平衡浓度,也就是说激活磷原子在硅中的活性,进而提高其电流传导能力。
但提高掺杂浓度并不是一件易事。
传统的提高平衡浓度的加热退火方法目前已经达到了极限CONTROL ENGINEERING China版权所有,若要再提高,可能会导致硅晶体膨胀。
传统的方法行不通,只能另寻他路。
这不,康奈尔大学研究人员提出了一种新的提高磷的平衡浓度的方法:微波技术。
在此之前,台积电就已经做出过微波可以激活多余的掺杂物的推测。
但微波有一个很大的弱点,就是驻波的存在,它不传导能量,会阻碍材料中掺杂物的持续激活。
那这么说,只要解决“驻波”这个问题,一切就都迎刃而解了。
的确如此,台积电与康奈尔大学的黄哲伦合作,一起改进了微波炉,使微波炉在工作过程中产生的驻波能够被有效控制。
这样一来,便能够有选择地控制驻波发生的时间,使得芯片材料中所掺杂的原子能够被适当激活,并且不会出现过度加热损坏晶体的状况。
除此之外,使用微波技术提高掺杂浓度控制工程网版权所有,可能也会改变芯片中使用的晶体管的几何形状。
鳍式场效应晶体管结构已经存在20多年了,而微波退火使得一种新的晶体管结构成为可能,在这种结构中,晶体管作为纳米片水平叠加,可以进一步增加晶体管的密度和控制。
值得一提的是,黄哲伦还对这项技术做出预测:
这一技术可能用于生产出现在2025年左右的半导体材料和电子产品。
并且,他也与博士后詹卢卡 · 法比(Gianluca Fabi)共同申请了微波退火器的两项专利。
但对于微波技术能不能称得上是制作2nm芯片的关键技术,有网友发表了自己的意见。
基本上,他们改进了制造芯片的许多步骤之一。但这并不是芯片尺寸的步骤,相反,它只是一个准备步骤,以供其他步骤更好地运行。
对于微波技术,你觉得它称得上是2nm芯片的突破关键吗?