在线会议
论坛
专题
工控直播
新闻中心
子站
技术
社区
近日，由中科院上海技物所研究员陆卫等人发明的“一种用于氮化镓外延生长的复合衬底”获国家专利。
该发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底，该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形，边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定控制工程网版权所有，厚度为2～100nmCONTROL ENGINEERING China版权所有，单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。
该项发明的优点是结构简单，成本低廉控制工程网版权所有，便于大规模生产www.cechina.cn，可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层CONTROL ENGINEERING China版权所有，可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
2026具身智能机器人电子制造应用研讨会.jpg)
福禄克六大“法宝”帮您搞定过程仪表校准难题
中控时间序列大模型TPT免费有奖体验
爱德克SE2L进阶版安全激光扫描仪有奖预约演示
剑维软件电子半导体行业白皮书有奖下载
