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近日，由中科院上海技物所研究员陆卫等人发明的“一种用于氮化镓外延生长的复合衬底”获国家专利。
该发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬底，该衬底由单晶硅片、二氧化硅层和单晶硅薄膜单元构成的阵列层组成。单晶硅薄膜单元为正方形CONTROL ENGINEERING China版权所有，边长由光刻技术所能达到的最小线宽决定CONTROL ENGINEERING China版权所有，厚度为2～100nmCONTROL ENGINEERING China版权所有，单元间隔小于或等于所要生长GaN外延层的厚度。
该项发明的优点是结构简单，成本低廉，便于大规模生产CONTROL ENGINEERING China版权所有，可以生长面积大、厚度大、位错密度非常低的GaN外延层www.cechina.cn，可用于制造发光亮度高、电学性质优良的GaN基半导体发光二极管、半导体激光器及其它光电子器件。
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