用户中心

资讯 > 业界新闻

采用0.18微米CMOS工艺技术,太空应用抗辐射SoC控制器原型出炉

2007.07.09阅读 1154

  独立专业代工厂商Tower Semiconductor和专精太空应用的无工厂公司Ramon Chips宣布完成用于太空应用的抗辐射系统级芯片(SoC)控制器原型。该控制器采用Tower的0.18微米CMOS工艺技术制造。

  该SoC控制器的时钟频率为150-MHzCONTROL ENGINEERING China版权所有,芯片上的SpaceWire接口具有250-Mbit/s的传输速率CONTROL ENGINEERING China版权所有,能够承受宇宙辐射和恶劣的环境条件,可用于环绕地球的卫星中的所有应用www.cechina.cn,以及高可靠性航空应用。

  该SoC控制器的设计和制造采用Ramon Chips的防辐射方法和标准单元库,确保采用Tower Semiconductor的生产线制造的部件的抗辐射能力。

  根据Ramon Chips公司CEO Ran Ginosar教授今年在Israeli Nano-Satellite Association (INSA)的介绍,该控制器采用Gaisler Research AB公司的Leon-3 32-bit Sparc处理器控制工程网版权所有,代码为GR702RC。第二代GR712RC采用两个Leon-3处理器核,具有更多的外设和片上高速缓存。另一种采用同样的RadSa

fe库和Tower Semiconductor 0.18微米CMOS工艺的原型已经通过测试。

 

 

标签:SoC控制器,
版权声明:版权归控制工程网所有,转载请注明出处!
继续阅读

频道推荐

关于我们

控制工程网 & CONTROL ENGINEERING China 全球工业控制、自动化和仪器仪表领域的先锋媒体

CE全球

联系我们

商务及广告合作
任小姐(北京)                 夏小姐(上海)
电话:010-82053688      电话:18616877918
rendongxue@cechina.cn      xiashuxian@cechina.cn
新闻投稿:王小姐

关注我们的微信

关于我们 | 网站地图 | 联系我们
© 2003-2020    经营许可编号:京ICP证120335号
公安机关备案号:110102002318  服务热线:010-82053688