三菱电机携同最新推出的第四代DIP-IPM（双列直插型智能功率模块）、第五代智能功率模块L1系列IPM以及多种系列的第五代IGBT模块，3月18至20日于上海新国际博览中心举行之2008慕尼黑上海电子展上，为不同领域的客户提供与其相应的应用解决方案。
　　三菱电机常务执行董事、半导体事业本部总经理长山安治先生此次特别从日本赶来参加展会，三菱电机作为业界的先驱www.cechina.cn，早在1997年就开发了用于白色家电和工业用电机的变频驱动的DIP-IPM。2004年以来，DIP-IPM模块的开发致力于小型化、低热阻化以及完全无铅化控制工程网版权所有，并已开发出第四代DIP-IPM产品。如今，为提高DIP-IPM的性价比，增加了新开发的搭载RC-IGBT硅片的额定电流为3A的DIP-IPM控制工程网版权所有，从而使第四代DIP-IPM系列产品更加丰富www.cechina.cn，为白色家电等变频基板的小型化做出贡献。
　　三菱电机日前新推出第五代L1系列智能功率模块，其将硅片温度传感器设置在IGBT硅片正中央处，实现了更加精确迅速的硅片温度检测。该系列IPM采用全栅型CSTBTTM硅片技术，具有比L系列IPM更低的损耗以及更加优化的VCE与Eoff折衷曲线。L1系列智能功率模块主端子有针脚型和螺丝型两种形式，同样电流电压等级的L1系列IPM与L系列IPM的封装完全兼容。此外，L1系列IPM还首次开发了25A/1200V和50A/600V的小封装产品以满足客户节约成本的需求。
　　三菱电机采用最新开发的载流子存储式沟槽型双极晶体管功率硅片控制工程网版权所有，实现了第五代IGBT模块的产品化，其具有低损耗、低饱和压降、高功率循环和寿命长等优点。分别针对不同应用开发了A、 NF、 NFM、NFH和NX系列。