三菱电机携同多种系列的第五代IGBT模块，在3月18至20日于上海新国际博览中心举行之2008慕尼黑上海电子展（展位5102）上，为不同领域的客户提供与其相应的应用解决方案。

       三菱电机采用最新开发的载流子存储式沟槽型双极晶体管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，实现了第五代IGBT模块的产品化，其具有低损耗、低饱和压降、高功率循环和寿命长等优点。分别针对不同应用开发了A、 NF、 NFM、NFH和NX系列。

       A系列IGBT模块为中低端工业应用提供性价比优异的IGBT模块CONTROL ENGINEERING China版权所有，其应用场合如：通用变频器、伺服驱动器、UPS以及特种电源等。NF系列IGBT模块则为高端工业应用提供性价比优异的IGBT模块。NFM系列IGBT模块非常适用于变频焊接设备等中高频开关应用控制工程网版权所有，其开关频率可达30kHz

。NFH系列IGBT模块的开关频率可高达60 kHz控制工程网版权所有，适用于感应加热电源、医疗仪器等高频应用场合。NX系列IGBT模块是通用变频器应用中具有很高性价比优势的功率开关器件。

       三菱电机机电（上海）有限公司半导体事业部长谷口丰聪先生说：“在变频器、交流伺服驱动器、电源等各种电力变换器的应用领域中www.cechina.cn，IGBT是一种能够满足广泛需求，并具有很好通用性的功率器件。为了满足市场对不断改善IGBT性能的需求，三菱电机不断完善现有产品，还为不同的客户量身订制符合他们需求的特有方案，协助他们面对越来越激烈的市场竞争。”

       三菱电机在展会期间www.cechina.cn，将现场滚动讲解各技术方案及其应用。