三菱电机携同多种系列的第五代IGBT模块,在3月18至20日于上海新国际博览中心举行之2008慕尼黑上海电子展(展位5102)上www.cechina.cn,为不同领域的客户提供与其相应的应用解决方案。
三菱电机采用最新开发的载流子存储式沟槽型双极晶体管(Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor,CSTBTTM)功率硅片控制工程网版权所有,实现了第五代IGBT模块的产品化控制工程网版权所有,其具有低损耗、低饱和压降、高功率循环和寿命长等优点。分别针对不同应用开发了A、 NF、 NFM、NFH和NX系列。
A系列IGBT模块为中低端工业应用提供性价比优异的IGBT模块,其应用场合如:通用变频器、伺服驱动器、UPS以及特种电源等。NF系列IGBT模块则为高端工业应用提供性价比优异的IGBT模块。NFM系列IGBT模块非常适用于变频焊接设备等中高频开关应用,其开关频率可达30kHz
三菱电机机电(上海)有限公司半导体事业部长谷口丰聪先生说:“在变频器、交流伺服驱动器、电源等各种电力变换器的应用领域中,IGBT是一种能够满足广泛需求,并具有很好通用性的功率器件。为了满足市场对不断改善IGBT性能的需求,三菱电机不断完善现有产品控制工程网版权所有,还为不同的客户量身订制符合他们需求的特有方案CONTROL ENGINEERING China版权所有,协助他们面对越来越激烈的市场竞争。”
三菱电机在展会期间,将现场滚动讲解各技术方案及其应用。