近日，横河电机有限公司宣布用于DRAM[*1]量产的存储器测试系统MT6111正式投放市场。

       最新发布的MT6111系统CONTROL ENGINEERING China版权所有，是市场现有的MT6060系统的改进型。和MT6060系统相比较www.cechina.cn，MT6111系统提高了测试效率，减少了将近20%的量产测试时间。MT6111系统是为占据了很大半导体市场份额的DRAM的量产而设计的高性价比存储器测试机。除测试DRAM之外控制工程网版权所有，MT6111也能应用于市场需求快速增长的NAND/NOR类型闪存[*2]的测试。

       系统性能

       1. 并行测试

       系统最大配置两个独立的测试站CONTROL ENGINEERING China版权所有，最大的同测数目达到1024 DUT(MT6060产能的两倍)，因此提高了系统的性能并且增强了测试制程的产出。

       为了提高DRAM的测试效率并降低测试成本控制工程网版权所有，MT6111的最大工作主频率达到140MHz。

       3. 体积小重量轻

       MT6111系统仅占据横河电机先前同类系统60%的空间，给测试制程节省了大量的空间并且有利于整体运行成本的降低。

       主要特性参数

       最大工作频率: 140MHz
       数据传输率: 280Mbits每秒
       同测数目: 最大1024 DUT(两个测试站时)
       测试站配置: 2个(单个测试站亦可)

       主要市场

       半导体制造商和半导体测试公司

       应用

       半导体器件DRAM ，NAND和NOR类闪存的前道工艺晶圆测试。