上海情报服务平台2006年3月15日报道:2002年，浸入式技术的可行性报告送至国际机构sematech的桌上控制工程网版权所有，但直到半年之后，半导体业界才苏醒过来，浸入式技术迅速成为光刻技术中的新宠。因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大，获得了人们的极大赞赏。

    2002年，浸入式技术的可行性报告送至国际机构sematech的桌上控制工程网版权所有，但直到半年之后，半导体业界才苏醒过来，浸入式技术迅速成为光刻技术中的新宠。因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大，获得了人们的极大赞赏。

    在2003版的《国际半导体技术蓝图》中，增加了一个可能解决方案——浸入式光刻（Immersion lithography），2004年12月，《国际半导体技术蓝图》编委会发行了《国际半导体技术蓝图》修订版，其中光刻一章在可能解决方案表中又给出了一些显著的变化，把193纳米光刻（非浸入式）扩展到90纳米节点，并且撤消了离子投影光刻和近接X射线光刻。而在200

5年的蓝图中，浸入式光刻继续着其既有的发展态势，作为2007年达到65nm、2010年达到45nm、2013年达到32nm和2016年达到22nm节点的关键技术。

    业界力推浸入式光刻技术

    浸入式光刻是指在曝光镜头和硅片之间充满水（或液体）而不是空气。对于193纳米光刻来说，水是最佳液体。但浸入式光刻技术仍有很多不确定性，如对置于水中的硅片和光刻性能带来的影响，磨料中水吸附如何进行CD控制、模样外形控制等。

    在半导体工业中，人们预测193纳米浸入式光刻技术将取代157纳米光刻技术成为45纳米以下半导体生产的新一代光刻技术。早在2003年5月，Intel宣布放弃157纳米光刻机的开发，而将采用氟化氩激光器的193纳米光刻机的功能扩展至45纳米节点。这也正是浸入式光刻技术取得较好发展的结果，数值孔径为0.93的193纳米的镜头已经可以实现。紧随Intel之后，欧洲的ASML、日本的Nikon和Canon浸入式光刻机计划纷纷出笼。

    目前，比利时微电子研究中心（IMEC）正在加速45纳米以下微电子技术的开发，已与世界10大设备供应商签定协议，协议的签署使得IMEC能在最先进的设备条件下进行研究与开发。根据IMEC所确定的发展战略，2003-2005年研发45纳米CMOS技术，2005-2007年研发32纳米微电子技术。

    193纳米浸入式光刻技术是实现45纳米以下COMS的关键技术。在193纳米浸入式光刻技术方面，IMEC与世界上30个芯片制造商、工具供应商和软件供应商等组成了合作联盟。该联盟中IMEC的合作伙伴ASML公司的TWINSCANtm XT∶1250i是目前世界上浸入工具（0.85）含量最高装置。IMEC将使用该工具进行曝光CONTROL ENGINEERING China版权所有，印刷新密度为7O纳米，聚焦深度为0.7μM。双方希望通过合作加速光刻技术从干法向湿法的过渡，
 
一代、二代193nm浸入式光刻机

    目前国际上光刻机的制造几乎处于垄断地位，最大的三家生产商为荷兰ASML， 美国Nikon Precision和日本Canon。从2004年起，这几家公司就提供193nm浸入式光刻机样品供各大芯片制造商使用。至今，已开发出多种型号的193nm浸入式光刻机。特别是对于NA（数值孔径）>1.0的第二代浸入式光刻机，研究速度也相当迅速。

    2004年夏天美国半导体芯片制造技术研究与开发联合体Sematech（Austin、Texas）和Exitech（Oxford，UK）宣布联合研发全球第一台超高NA 193nm浸入式光刻机。2005年夏天在Austin的Sematech安装，这台浸入式光刻机的Ms-193i微型曝光部分由Corning Tropel完成控制工程网版权所有，其NA 1.3CONTROL ENGINEERING China版权所有，0.4mm曝光范围；水浸入部分由Lambda physik完成，有4kHz、线性极化性能；ArF激光源也由Lambda physik完成，睁个光刻机可制作70nm/45nm节点。

    ASML现也已推出NA为1.2的193nm浸入式光刻机。而Nikon Precision公司在2005年下半年推出了NA为1.07的S609B型193nm浸入式光刻机CONTROL ENGINEERING China版权所有，并将于2006年下半年推出NA为1.3的S610C型193nm浸入式光