上海情报服务平台2006年3月15日报道:2002年www.cechina.cn，浸入式技术的可行性报告送至国际机构sematech的桌上，但直到半年之后，半导体业界才苏醒过来，浸入式技术迅速成为光刻技术中的新宠。因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大，获得了人们的极大赞赏。

    2002年www.cechina.cn，浸入式技术的可行性报告送至国际机构sematech的桌上，但直到半年之后，半导体业界才苏醒过来，浸入式技术迅速成为光刻技术中的新宠。因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大，获得了人们的极大赞赏。

    在2003版的《国际半导体技术蓝图》中，增加了一个可能解决方案——浸入式光刻（Immersion lithography），2004年12月，《国际半导体技术蓝图》编委会发行了《国际半导体技术蓝图》修订版，其中光刻一章在可能解决方案表中又给出了一些显著的变化，把193纳米光刻（非浸入式）扩展到90纳米节点，并且撤消了离子投影光刻和近接X射线光刻。而在200

5年的蓝图中，浸入式光刻继续着其既有的发展态势，作为2007年达到65nm、2010年达到45nm、2013年达到32nm和2016年达到22nm节点的关键技术。

    业界力推浸入式光刻技术

    浸入式光刻是指在曝光镜头和硅片之间充满水（或液体）而不是空气。对于193纳米光刻来说，水是最佳液体。但浸入式光刻技术仍有很多不确定性，如对置于水中的硅片和光刻性能带来的影响，磨料中水吸附如何进行CD控制、模样外形控制等。

    在半导体工业中，人们预测193纳米浸入式光刻技术将取代157纳米光刻技术成为45纳米以下半导体生产的新一代光刻技术。早在2003年5月，Intel宣布放弃157纳米光刻机的开发，而将采用氟化氩激光器的193纳米光刻机的功能扩展至45纳米节点。这也正是浸入式光刻技术取得较好发展的结果，数值孔径为0.93的193纳米的镜头已经可以实现。紧随Intel之后，欧洲的ASML、日本的Nikon和Canon浸入式光刻机计划纷纷出笼。

    目前www.cechina.cn，比利时微电子研究中心（IMEC）正在加速45纳米以下微电子技术的开发，已与世界10大设备供应商签定协议，协议的签署使得IMEC能在最先进的设备条件下进行研究与开发。根据IMEC所确定的发展战略，2003-2005年研发45纳米CMOS技术，2005-2007年研发32纳米微电子技术。

    193纳米浸入式光刻技术是实现45纳米以下COMS的关键技术。在193纳米浸入式光刻技术方面，IMEC与世界上30个芯片制造商、工具供应商和软件供应商等组成了合作联盟。该联盟中IMEC的合作伙伴ASML公司的TWINSCANtm XT∶1250i是目前世界上浸入工具（0.85）含量最高装置。IMEC将使用该工具进行曝光，印刷新密度为7O纳米www.cechina.cn，聚焦深度为0.7μM。双方希望通过合作加速光刻技术从干法向湿法的过渡控制工程网版权所有，
 
一代、二代193nm浸入式光刻机

    目前国际上光刻机的制造几乎处于垄断地位，最大的三家生产商为荷兰ASML， 美国Nikon Precision和日本Canon。从2004年起，这几家公司就提供193nm浸入式光刻机样品供各大芯片制造商使用。至今，已开发出多种型号的193nm浸入式光刻机。特别是对于NA（数值孔径）>1.0的第二代浸入式光刻机，研究速度也相当迅速。

    2004年夏天美国半导体芯片制造技术研究与开发联合体Sematech（Austin、Texas）和Exitech（Oxford，UK）宣布联合研发全球第一台超高NA 193nm浸入式光刻机。2005年夏天在Austin的Sematech安装，这台浸入式光刻机的Ms-193i微型曝光部分由Corning Tropel完成控制工程网版权所有，其NA 1.3，0.4mm曝光范围；水浸入部分由Lambda physik完成，有4kHz、线性极化性能；ArF激光源也由Lambda physik完成，睁个光刻机可制作70nm/45nm节点。

    ASML现也已推出NA为1.2的193nm浸入式光刻机。而Nikon Precision公司在2005年下半年推出了NA为1.07的S609B型193nm浸入式光刻机，并将于2006年下半年推出NA为1.3的S610C型193nm浸入式光