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意法半导体近日推出了最新一代手机专用的NOR闪存子系统。意法半导体是世界最大的NOR闪存供应商之一，在开发半导体精细制造技术领域居世界领先水平。新的多片子系统在一个封装内整合了ST新开发的256Mbit和512Mbit单片NOR闪存芯片以及伪静态随机存取存储器（PSRAM）或小功率同步动态随机存取存储器（LPSDRAM）。新的NOR闪存子系统专门为第三代手机应用设计，采用ST先进的90nm工艺开发制造，代码执行速度更快，价格更加低廉。
新的闪存子系统采用多片封装（MCP）技术，含有多种芯片组合控制工程网版权所有，包括：
512 Mbit 闪存 + 64 Mbit PSRAM (M36P0R9060);
512 Mbit 闪存+ 128 Mbit PSRAM (M36P0R9070);
512 Mbit 闪存 + 128 Mbit LPSDRAM (M39P0R9070):
512 Mbit 闪存+ 128 Mbit PSRAM (M36P0R9070);
512 Mbit 闪存 + 128 Mbit LPSDRAM (M39P0R9070):
此外，还有容量高达1Gbit的三片叠装和基于ST新开发的256Mbit
NOR闪存的多片封装产品。
ST新的NOR闪存将存储性能提升到了一个新的水平，读取速率高达133MHz，比市场现有产品快2倍。此外，编程速率高达0.5兆字节每秒，比现有NOR闪存解决方案提高2倍。意法半导体存储器产品部副总裁Marco Dallabora说：“我们新的NOR闪存芯片具有优异的读取速度，能够实现目前最快读取速度的芯片组，因而提高先进手机平台的代码执行速度。此外，其 每秒 0.5兆字节的 编程速率以及极低的功耗还支持手机上的高分辨相机。”
ST新的闪存产品不仅采用90nm光刻技术，还运用了经过验证的先进存储技术，例如，多电平单
元(MLC)闪存和多区块体系结构，这些特性都是针对第三代多媒体手机的高容量、小尺寸、低功耗和高灵活性等特点专门设计开发的。
元(MLC)闪存和多区块体系结构，这些特性都是针对第三代多媒体手机的高容量、小尺寸、低功耗和高灵活性等特点专门设计开发的。
在封装方面控制工程网版权所有，采用一个单片小封装内集成不同类型的存储器的整合方法控制工程网版权所有，可以 节省电路板空间， 提高制造商产品的可靠性。而且，在一个容量非常小的封装内组装超大容量的存储器是即将到来的第三代应用处理多媒体内容和快速连接互联网的基本要求。
软件支持在客户的应用平台内整合数据和文件管理功能，这一特性完善了ST存储子系统产品范
围控制工程网版权所有，有助于缩短制造商的产品化周期。
围控制工程网版权所有，有助于缩短制造商的产品化周期。
这两个新产品系列所包含的存储器组合都已上市销售，采用BGA封装：NOR闪存+PSRAM，8 x 11mm (ZAC) LFBGA107封装；NOR闪存+LPSDRAM，9x11mm(ZAD)xFBGA105封装。批量采购 价：M36P0R9060单价12美元，M36P0R9070单价14美元CONTROL ENGINEERING China版权所有，M39P0R9070单价13美元。所有产品数据信息将在www.st.com网站上公布。
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