Dallas Semiconductor近日推出内置实时时钟(RTC)、采用单芯片表贴封装的非易失性SRAM(NVSRAM)模块——DS3030/DS3045/DS3050/DS3065。在意外或不定期的掉电情况下，这些模块为保护重要数据提供了一种完全集成的便利方法。器件采用27×27mm、256焊球BGA封装控制工程网版权所有，并与外部环境完全隔离密封。

　　新型的DS3030/DS3045/DS3050/DS3065包含可承受回流焊的电池。由于内部集成有智能电路，可持续监视VCC，检查是否超出容限。一旦出现这种情况CONTROL ENGINEERING China版权所有，自动接通锂电池，并无条件使能写保护功能，以防止破坏数据。

　　该系列存储器模块对执行写操作的次数没有限制控制工程网版权所有，而且与处理器接口无需额外的支持电路，可替代SRAM、EEPROM或Flash存储器。3.3V模块的容量从32k×8位至1M×8位，并具有相同的封装尺寸和引脚排布，从而无需改变封装尺寸可增加产品容量。

　　此外，这些新型模块内置的RTC具有完整的Y2KC时钟/日历功能www.cechina.cn，包含有RTC报警、看门狗定时器、电池监视器以

及电源监视器。RTC寄存器包含世纪、年、月、日、星期、时、分、秒数据，采用24小时BCD格式。每月天数以及闰年的修正可自动完成。

　　该系列产品采用单芯片架构，所以可采用标准装配工艺来处理。采用现有的拾取-贴放设备即可从料盘上拾取器件并进行贴放。该系列模块与标准SMT工艺相兼容CONTROL ENGINEERING China版权所有，可承受+225℃/+0℃/-5℃的峰值回流焊温度长达30秒。回流焊完成后，可用水基溶液对这些模块进行清洗，无需特殊的防护。