

总的来说快速熔断器在发生故障时的总动作时间与短路电流的热效应相关,因此快熔的关键参数不是动作时间,而是动作过程中的累计电流发热量I2t,这与可控硅短路保护需要参考的数据指标是一致的。只要快熔的总I2t值与被保护的半导体器件的I2t值相匹配,就能起到有效的短路保护作用。
下表是丹佛斯软起动器要求的前级短路保护快熔选型表:

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丹佛斯说明书中要求MCD3220前级安装BUSSMANN的170M6012半导体熔断器,要求的可控硅需要的短路保护I2t值为320000A2S,也就是MCD3220软起动器使用的可控硅T588N16TOF需要的短路保护I2t值。
半导体熔断器170M6012的数据见下表:
由于BUSSMANN的手册


中给出的弧断I2t值为660V电网电压时的数据,所以还要查表求出400V电网电压时的修正系数,从右图可以查到修正系数约为0.61。则可得:
170M6012在400V电网中的弧断I2t 。
弧断I2t = 465000×0.61= 283650
170M6012的总I2t值 = 弧前I2t + 弧断I2t
= 69500 + 283650
= 353150
此值与可控硅保护需要的I2t值320000相近。
结论:
半导体器件保护专用快速熔断器能够提供软起动器短路保护。对于通常客户www.cechina.cn,必须要求采用丹佛斯推荐的半导体熔断器作软起动器短路保护。断路器不能满足软起动器短路保护的要求。
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时间:06月13日 14:00
地点:webcast.cechina.cn
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