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最近www.cechina.cn，Intel公司和美光(Micron)公司联合对外宣布CONTROL ENGINEERING China版权所有，由双方的NAND闪存部联合投资的IM Flash科技公司正对其制造的行业领先的50纳米多层式储存 (Multi Level Cell；MLC) NAND闪存进行抽样试验。
这种新的多层式储存组件能完美的适用于当前的计算与客户电子设备中控制工程网版权所有，这些设备目前在尺寸上日益变小并自身效率在提高。此次试验的50纳米MLC技术是在一个16Gb冲压密度里进行抽样选择的。这50纳米MLC技术与先前双方宣布的50纳米单层式储存产品相互补充，后者是在一个4Gb冲压密度里提供的。
此次推出的新型MLC NAND产品是公司一年来产品研究活动的成果体现，这些活动中Intel公司和美光公司进行了现代化的300毫米尺寸大小的闪存制造工厂网络建设，而且目前双方合作的公司正在针对40纳米以下尺寸的NAND闪存产品进行研发。
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